大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè吹埙为什么不吉利 吹埙是有氧运动吗tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>吹埙为什么不吉利 吹埙是有氧运动吗 style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>吹埙为什么不吉利 吹埙是有氧运动吗)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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